ON Semiconductor - FDMS3660AS

KEY Part #: K6522113

FDMS3660AS Qiymətləndirmə (USD) [138425ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.26720
  • 3,000 pcs$0.25922

Hissə nömrəsi:
FDMS3660AS
İstehsalçı:
ON Semiconductor
Ətraflı Təsviri:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - seriallar, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər and Tiristorlar - SCRlər ...
Rəqabətli üstünlük:
ON Semiconductor FDMS3660AS elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FDMS3660AS sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FDMS3660AS üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS3660AS Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FDMS3660AS
İstehsalçı : ON Semiconductor
Təsvir : MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
Seriya : PowerTrench®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : 2 N-Channel (Dual)
FET Feature : Logic Level Gate
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 13A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2230pF @ 15V
Gücü - Maks : 1W
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 8-PowerTDFN
Təchizatçı cihaz paketi : Power56