Microsemi Corporation - JAN1N6630US

KEY Part #: K6449551

JAN1N6630US Qiymətləndirmə (USD) [4373ədəd Stok]

  • 1 pcs$9.95367
  • 100 pcs$9.90415

Hissə nömrəsi:
JAN1N6630US
İstehsalçı:
Microsemi Corporation
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Düzəldicilər - Tək and Transistorlar - IGBTs - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
Microsemi Corporation JAN1N6630US elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. JAN1N6630US sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. JAN1N6630US üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N6630US Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : JAN1N6630US
İstehsalçı : Microsemi Corporation
Təsvir : DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF
Seriya : Military, MIL-PRF-19500/590
Hissə Vəziyyəti : Active
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 900V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 1.4A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.4V @ 1.4A
Sürət : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 50ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 2µA @ 900V
Kapasitans @ Vr, F : -
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : SQ-MELF, E
Təchizatçı cihaz paketi : D-5B
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -65°C ~ 150°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • C4D08120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 7.5A

  • BAT 64 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS 70 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • BAT 54 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS 40 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS 16 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3.