Hissə nömrəsi :
FJV3111RMTF
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Hissə Vəziyyəti :
Obsolete
Transistor tipi :
NPN - Pre-Biased
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
100mA
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
40V
Rezistor - Baza (R1) :
22 kOhms
Rezistor - Emitter bazası (R2) :
-
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
100 @ 1mA, 5V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
300mV @ 1mA, 10mA
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
100nA (ICBO)
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Təchizatçı cihaz paketi :
SOT-23-3 (TO-236)