Infineon Technologies - BSC093N04LSGATMA1

KEY Part #: K6420770

BSC093N04LSGATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [249476ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.14826
  • 5,000 pcs$0.10572

Hissə nömrəsi:
BSC093N04LSGATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Güc Sürücü Modulları and Transistorlar - IGBTs - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies BSC093N04LSGATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BSC093N04LSGATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BSC093N04LSGATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC093N04LSGATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : BSC093N04LSGATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 40V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 13A (Ta), 49A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 14µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1900pF @ 20V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TDSON-8
Paket / Case : 8-PowerTDFN