Hissə nömrəsi :
1N8033-GA
İstehsalçı :
GeneSiC Semiconductor
Təsvir :
DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
Hissə Vəziyyəti :
Obsolete
Diod növü :
Silicon Carbide Schottky
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
650V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
4.3A (DC)
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.65V @ 5A
Sürət :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
0ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
5µA @ 650V
Kapasitans @ Vr, F :
274pF @ 1V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-276
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-55°C ~ 250°C