Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ST110S12P2V

KEY Part #: K6458762

VS-ST110S12P2V Qiymətləndirmə (USD) [976ədəd Stok]

  • 1 pcs$47.54903
  • 25 pcs$45.28478

Hissə nömrəsi:
VS-ST110S12P2V
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
SCR 1200V 175A TO-94. SCRs Thyristors - TO-83/94 COM RD-e3
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCRlər, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - Zener - Subay, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Diodlar - Zener - Diziler and Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST110S12P2V elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. VS-ST110S12P2V sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. VS-ST110S12P2V üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ST110S12P2V Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : VS-ST110S12P2V
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : SCR 1200V 175A TO-94
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Gərginlik - Off vəziyyət : 1.2kV
Gərginlik - Qapı tetikleyicisi (Vgt) (Maks) : 3V
Cari - Qapı Tetikçisi (Igt) (Maks) : 150mA
Gərginlik - Dövlət (Vtm) (Maks) : 1.52V
Cari - Dövlət (Bu (AV)) (Maks) : 110A
Cari - Dövlət (Bu (RMS)) (Maks) : 175A
Cari - Hold (Ih) (Max) : 600mA
Cari - Off Dövlət (Maks) : 20mA
Cari - 50, 60 Hz (Özü) olmayan Surge : 2270A, 2380A
SCR Növü : Standard Recovery
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 125°C
Montaj növü : Chassis, Stud Mount
Paket / Case : TO-209AC, TO-94-4, Stud
Təchizatçı cihaz paketi : TO-209AC (TO-94)

Maraqlı ola bilərsiniz
  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAL99E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAS16E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS16WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR