Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. 71V416L10PHGI8

IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V416L10PHGI8

KEY Part #: K938169

71V416L10PHGI8 Qiymətləndirmə (USD) [19354ədəd Stok]

  • 1 pcs$2.37942
  • 1,500 pcs$2.36759
Hissə nömrəsi:
71V416L10PHGI8
İstehsalçı:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Ətraflı Təsviri:
IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II. SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Saat / Zamanlama - IC Batareyalar, PMIC - Gərginlik tənzimləyiciləri - DC DC keçid nə, Məntiq - Flip Flops, Məntiq - tamponlar, sürücülər, qəbuledicilər, ötür, PMIC - Gərginlik tənzimləyiciləri - DC DC keçid tə, PMIC - Gərginlik tənzimləyiciləri - Xətti tənzimlə, Məlumatların əldə edilməsi - ADC / DAC - Xüsusi Mə and Quraşdırılmış - PLD (Proqramlaşdırıla bilən Məntiq ...
Rəqabətli üstünlük:
IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416L10PHGI8 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. 71V416L10PHGI8 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. 71V416L10PHGI8 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

71V416L10PHGI8 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : 71V416L10PHGI8
İstehsalçı : IDT, Integrated Device Technology Inc
Təsvir : IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : SRAM
Texnologiya : SRAM - Asynchronous
Yaddaş ölçüsü : 4Mb (256K x 16)
Saat tezliyi : -
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 10ns
Giriş vaxtı : 10ns
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 3V ~ 3.6V
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Təchizatçı cihaz paketi : 44-TSOP II
Maraqlı ola bilərsiniz
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

İsti hissələr