Microsemi Corporation - APT35GP120B2DQ2G

KEY Part #: K6421751

APT35GP120B2DQ2G Qiymətləndirmə (USD) [4309ədəd Stok]

1 pcs$10.05361
10 pcs$9.13998
25 pcs$8.45448
100 pcs$7.38992
250 pcs$6.73790

Hissə nömrəsi:: APT35GP120B2DQ2G

İstehsalçı:: Microsemi Corporation

Ətraflı Təsviri:: IGBT 1200V 96A 543W TMAX.

Manufacturer's standard lead time:: Anbarda

Raf ömrü:: Bir il

Chip From:: Honq Konq

RoHS:

Ödəniş üsulu:

Göndərmə yolu:

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Diodlar - RF, Tiristorlar - SCRlər and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl ...

Rəqabətli üstünlük:: Microsemi Corporation APT35GP120B2DQ2G elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. APT35GP120B2DQ2G sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. APT35GP120B2DQ2G üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APT35GP120B2DQ2G Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : APT35GP120B2DQ2G

İstehsalçı : Microsemi Corporation

Təsvir : IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Seriya : POWER MOS 7®

Hissə Vəziyyəti : Active

IGBT növü : PT

Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 1200V

Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 96A

Cari - Kolleksiyaçı Pulsed (Icm) : 140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 35A

Gücü - Maks : 543W

Kommutasiya Enerji : 750µJ (on), 680µJ (off)

Giriş növü : Standard

Qapı şarjı : 150nC

Td (aç / söndür) @ 25 ° C : 16ns/95ns

Test Vəziyyəti : 600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V

Geri Bərpa Vaxtı (trr) : -

Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü : Through Hole

Paket / Case : TO-247-3 Variant

Təchizatçı cihaz paketi : -

Son xəbərlər

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters

Maraqlı ola bilərsiniz

FGD3N60LSDTM

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 40W DPAK.
FDV301N

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23.
SSM3J325F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI.
BSS138

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23.
BSS123NH6433XTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23.
BSS7728NH6327XTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23.

English Azərbaycan