Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. W949D6DBHX5E TR

Winbond Electronics - W949D6DBHX5E TR

KEY Part #: K941549

W949D6DBHX5E TR Qiymətləndirmə (USD) [37564ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.41272
  • 2,500 pcs$1.40569
Hissə nömrəsi:
W949D6DBHX5E TR
İstehsalçı:
Winbond Electronics
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 512M mDDR, x16, 200MHz T&R
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: PMIC - LED sürücülər, Yaddaş - Batareyalar, İnterfeys - sürücülər, qəbuledicilər, ötürücülər, Məlumatların alınması - Rəqəmsal analoq çeviricilə, Quraşdırılmış - Mikroprosessorlar, PMIC - PFC (Güc Faktoru Düzəldilməsi), PMIC - Lazer Sürücüləri and Məntiq - Sayğaclar, bölücülər ...
Rəqabətli üstünlük:
Winbond Electronics W949D6DBHX5E TR elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. W949D6DBHX5E TR sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. W949D6DBHX5E TR üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W949D6DBHX5E TR Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : W949D6DBHX5E TR
İstehsalçı : Winbond Electronics
Təsvir : IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - Mobile LPDDR
Yaddaş ölçüsü : 512Mb (32M x 16)
Saat tezliyi : 200MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 15ns
Giriş vaxtı : 5ns
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 1.7V ~ 1.95V
Əməliyyat temperaturu : -25°C ~ 85°C (TC)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 60-TFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 60-VFBGA (8x9)

Son xəbərlər

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Maraqlı ola bilərsiniz
  • SST26VF032-80-5I-QAE

    Microchip Technology

    IC FLASH 32M SPI 80MHZ 8WSON.

  • N01S830BAT22IT

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • N01S830HAT22IT

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB 3.V HOLD FNC, TSSOP

  • N01S818HAT22IT

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • IS25LQ032B-JNLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC. NOR Flash 32Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS

  • SST26VF064B-104V/SM

    Microchip Technology

    IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIJ. NOR Flash 64Mbit SPI/SQI Flash 2.3V-3.6V, 105C

İsti hissələr