Alliance Memory, Inc. - AS4C64M16MD2A-25BIN

KEY Part #: K937514

AS4C64M16MD2A-25BIN Qiymətləndirmə (USD) [17157ədəd Stok]

  • 1 pcs$2.67064

Hissə nömrəsi:
AS4C64M16MD2A-25BIN
İstehsalçı:
Alliance Memory, Inc.
Ətraflı Təsviri:
134-BALL FBGA 10X11.5X1.0. DRAM 1G 1.2V/1.8V 32Mx32 Mobile DDR2 E-Temp
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Daxili - FPGA'lar (Field Programlanabilir Gate Arr, Məlumatların əldə edilməsi - Rəqəmsal Potensiometr, PMIC - Gərginlik tənzimləyiciləri - Xətti + Kommut, İnterfeys - Nəzarətçilər, Məntiq - Müqayisələr, Yaddaş - FPGA'lar üçün konfiqurasiya promsları, İnterfeys - kodlayıcılar, dekoderlər, çeviricilər and Daxili - DSP (Rəqəmsal Siqnal İşlemleri) ...
Rəqabətli üstünlük:
Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD2A-25BIN elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. AS4C64M16MD2A-25BIN sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. AS4C64M16MD2A-25BIN üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M16MD2A-25BIN Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : AS4C64M16MD2A-25BIN
İstehsalçı : Alliance Memory, Inc.
Təsvir : 134-BALL FBGA 10X11.5X1.0
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - Mobile LPDDR2
Yaddaş ölçüsü : 1Gb (64M x 16)
Saat tezliyi : 400MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 15ns
Giriş vaxtı : -
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 1.14V ~ 1.95V
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 134-VFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 134-FBGA (10x11.5)

Maraqlı ola bilərsiniz
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor

  • S29GL512T12DHVV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC NOR. NOR Flash Nor