Diodes Incorporated - DMG1012T-13

KEY Part #: K6396408

DMG1012T-13 Qiymətləndirmə (USD) [2053609ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.01801

Hissə nömrəsi:
DMG1012T-13
İstehsalçı:
Diodes Incorporated
Ətraflı Təsviri:
MOSFET BVDSS 8V-24V SOT523 TR.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - Zener - Subay, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Tiristorlar - SCRlər, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Diodes Incorporated DMG1012T-13 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DMG1012T-13 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DMG1012T-13 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG1012T-13 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DMG1012T-13
İstehsalçı : Diodes Incorporated
Təsvir : MOSFET BVDSS 8V-24V SOT523 TR
Seriya : Automotive, AEC-Q101
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 20V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 630mA (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 0.737nC @ 4.5V
Vgs (Maks) : ±6V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 60.67pF @ 16V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 280mW (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : SOT-523
Paket / Case : SOT-523