Vishay Siliconix - SIRA12BDP-T1-GE3

KEY Part #: K6395904

SIRA12BDP-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [307949ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.12011

Hissə nömrəsi:
SIRA12BDP-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CHAN 30V.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - IGBTs - Subay, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik and Transistorlar - Xüsusi Məqsəd ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SIRA12BDP-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SIRA12BDP-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SIRA12BDP-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRA12BDP-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SIRA12BDP-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CHAN 30V
Seriya : TrenchFET® Gen IV
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 27A (Ta), 60A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Maks) : +20V, -16V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1470pF @ 15V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 5W (Ta), 38W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® SO-8
Paket / Case : PowerPAK® SO-8