Infineon Technologies - IPA80R900P7XKSA1

KEY Part #: K6418133

IPA80R900P7XKSA1 Qiymətləndirmə (USD) [52540ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.75676
  • 10 pcs$0.67105
  • 100 pcs$0.53028
  • 500 pcs$0.41123
  • 1,000 pcs$0.30710

Hissə nömrəsi:
IPA80R900P7XKSA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPA80R900P7XKSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPA80R900P7XKSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPA80R900P7XKSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA80R900P7XKSA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPA80R900P7XKSA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO220
Seriya : CoolMOS™ P7
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 800V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 110µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 350pF @ 500V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 26W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO220 Full Pack
Paket / Case : TO-220-3 Full Pack