Toshiba Semiconductor and Storage - TPH1110FNH,L1Q

KEY Part #: K6419683

TPH1110FNH,L1Q Qiymətləndirmə (USD) [125094ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.30352
  • 5,000 pcs$0.30201

Hissə nömrəsi:
TPH1110FNH,L1Q
İstehsalçı:
Toshiba Semiconductor and Storage
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - Zener - Subay, Tiristorlar - TRIACs, Diodlar - RF, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar and Diodlar - Düzəldicilər - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110FNH,L1Q elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. TPH1110FNH,L1Q sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. TPH1110FNH,L1Q üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH1110FNH,L1Q Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : TPH1110FNH,L1Q
İstehsalçı : Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir : MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
Seriya : U-MOSVIII-H
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 250V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 112 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 300µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1100pF @ 100V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : 8-SOP Advance (5x5)
Paket / Case : 8-PowerVDFN

Maraqlı ola bilərsiniz