Infineon Technologies - BSC020N025S G

KEY Part #: K6409368

[306ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    BSC020N025S G
    İstehsalçı:
    Infineon Technologies
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Diodlar - Zener - Diziler and Diodlar - RF ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Infineon Technologies BSC020N025S G elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BSC020N025S G sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BSC020N025S G üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSC020N025S G Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : BSC020N025S G
    İstehsalçı : Infineon Technologies
    Təsvir : MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
    Seriya : OptiMOS™
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 25V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 30A (Ta), 100A (Tc)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 50A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 110µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 66nC @ 5V
    Vgs (Maks) : ±20V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 8290pF @ 15V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.8W (Ta), 104W (Tc)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Təchizatçı cihaz paketi : PG-TDSON-8
    Paket / Case : 8-PowerTDFN