İstehsalçı :
GeneSiC Semiconductor
Təsvir :
DIODE GEN PURP 600V 50A TO249AB
Hissə Vəziyyəti :
Obsolete
Diodun konfiqurasiyası :
1 Pair Common Cathode
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
600V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diod başına) :
50A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.7V @ 50A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
90ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
25µA @ 600V
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-55°C ~ 150°C
Montaj növü :
Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-249AB