Infineon Technologies - IPD60R1K5CEAUMA1

KEY Part #: K6403236

IPD60R1K5CEAUMA1 Qiymətləndirmə (USD) [342242ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.10807
  • 2,500 pcs$0.08921

Hissə nömrəsi:
IPD60R1K5CEAUMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Güc Sürücü Modulları and Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPD60R1K5CEAUMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPD60R1K5CEAUMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPD60R1K5CEAUMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD60R1K5CEAUMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPD60R1K5CEAUMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252
Seriya : CoolMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 650V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 5A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 200pF @ 100V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 49W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO252
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63