Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J207FE,LF

KEY Part #: K6421546

SSM6J207FE,LF Qiymətləndirmə (USD) [776433ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.05267
  • 4,000 pcs$0.05240

Hissə nömrəsi:
SSM6J207FE,LF
İstehsalçı:
Toshiba Semiconductor and Storage
Ətraflı Təsviri:
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - JFETlər, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Güc Sürücü Modulları and Diodlar - Zener - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J207FE,LF elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SSM6J207FE,LF sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SSM6J207FE,LF üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J207FE,LF Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SSM6J207FE,LF
İstehsalçı : Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir : MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Seriya : U-MOSII
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : P-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 1.4A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 251 mOhm @ 650mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 137pF @ 15V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 500mW (Ta)
Əməliyyat temperaturu : 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : ES6 (1.6x1.6)
Paket / Case : SOT-563, SOT-666