Hissə nömrəsi :
RDN100N20FU6
İstehsalçı :
Rohm Semiconductor
Təsvir :
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
Hissə Vəziyyəti :
Obsolete
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
10A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
543pF @ 10V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
35W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
150°C (TJ)
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-220FN
Paket / Case :
TO-220-3 Full Pack