Hissə nömrəsi :
SI4668DY-T1-GE3
İstehsalçı :
Vishay Siliconix
Təsvir :
MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
25V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
16.2A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1654pF @ 15V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
8-SO
Paket / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)