Infineon Technologies - IPD50N06S409ATMA2

KEY Part #: K6420264

IPD50N06S409ATMA2 Qiymətləndirmə (USD) [176229ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.20988
  • 2,500 pcs$0.17627

Hissə nömrəsi:
IPD50N06S409ATMA2
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - Düzəldicilər - Tək and Diodlar - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPD50N06S409ATMA2 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPD50N06S409ATMA2 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPD50N06S409ATMA2 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD50N06S409ATMA2 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPD50N06S409ATMA2
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Seriya : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 34µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 47.1nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 3785pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 71W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO252-3-11
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Maraqlı ola bilərsiniz