Hissə nömrəsi :
IPB020N10N5ATMA1
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 270µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
210nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
15600pF @ 50V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
375W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
D²PAK (TO-263AB)
Paket / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB