Hissə nömrəsi :
IPL65R195C7AUMA1
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
MOSFET N-CH 4VSON
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
650V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
195 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 290µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1150pF @ 400V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
75W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
PG-VSON-4
Paket / Case :
4-PowerTSFN