Hissə nömrəsi :
IGO60R070D1AUMA1
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
IC GAN FET 600V 60A 20DSO
Texnologiya :
GaNFET (Gallium Nitride)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
31A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 2.6mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
380pF @ 400V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
125W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
PG-DSO-20-85
Paket / Case :
20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)