Hissə nömrəsi :
TK12A80W,S4X
İstehsalçı :
Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir :
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
800V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
11.5A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 570µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1400pF @ 300V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
45W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
150°C
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-220SIS
Paket / Case :
TO-220-3 Full Pack