Hissə nömrəsi :
DMN10H170SFG-7
İstehsalçı :
Diodes Incorporated
Təsvir :
MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
122 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
14.9nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
870.7pF @ 25V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
940mW (Ta)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
PowerDI3333-8
Paket / Case :
8-PowerWDFN