Infineon Technologies - IRFB812PBF

KEY Part #: K6420370

IRFB812PBF Qiymətləndirmə (USD) [188931ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.19577
  • 1,000 pcs$0.18794

Hissə nömrəsi:
IRFB812PBF
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri- and Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IRFB812PBF elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IRFB812PBF sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IRFB812PBF üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB812PBF Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IRFB812PBF
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
Seriya : HEXFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 500V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 3.6A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 810pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 78W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-220AB
Paket / Case : TO-220-3

Maraqlı ola bilərsiniz