Hissə nömrəsi :
APTGLQ100H65T3G
İstehsalçı :
Microsemi Corporation
Təsvir :
POWER MODULE - IGBT
IGBT növü :
Trench Field Stop
Konfiqurasiya :
Full Bridge
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
650V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
135A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.3V @ 15V, 100A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
50µA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce :
6.15nF @ 25V
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü :
Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
SP3F