Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. TC58NYG1S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TC58NYG1S3HBAI4

KEY Part #: K938203

TC58NYG1S3HBAI4 Qiymətləndirmə (USD) [19544ədəd Stok]

  • 1 pcs$2.34452
Hissə nömrəsi:
TC58NYG1S3HBAI4
İstehsalçı:
Toshiba Memory America, Inc.
Ətraflı Təsviri:
2G NAND SLC 24NM BGA. NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: İnterfeys - kodlayıcılar, dekoderlər, çeviricilər, Xətti - Gücləndiricilər - Səs, PMIC - Mövcud Tənzimləmə / İdarəetmə, Quraşdırılmış - Mikro nəzarətçilər, Məntiq - Universal Avtobus funksiyaları, Daxili - DSP (Rəqəmsal Siqnal İşlemleri), PMIC - Batareya doldurucuları and Saat / Zamanlama - Proqramlaşdırılan Taymerlər və ...
Rəqabətli üstünlük:
Toshiba Memory America, Inc. TC58NYG1S3HBAI4 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. TC58NYG1S3HBAI4 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. TC58NYG1S3HBAI4 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NYG1S3HBAI4 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : TC58NYG1S3HBAI4
İstehsalçı : Toshiba Memory America, Inc.
Təsvir : 2G NAND SLC 24NM BGA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Non-Volatile
Yaddaş formatı : FLASH
Texnologiya : FLASH - NAND (SLC)
Yaddaş ölçüsü : 2Gb (256M x 8)
Saat tezliyi : -
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 25ns
Giriş vaxtı : -
Yaddaş interfeysi : -
Gərginlik - Təchizat : 1.7V ~ 1.95V
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 63-VFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 63-TFBGA (9x11)

Son xəbərlər

Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Maraqlı ola bilərsiniz
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • W979H6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C

İsti hissələr