ON Semiconductor - FQD2N60CTM

KEY Part #: K6392985

FQD2N60CTM Qiymətləndirmə (USD) [227124ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.16285
  • 2,500 pcs$0.15234

Hissə nömrəsi:
FQD2N60CTM
İstehsalçı:
ON Semiconductor
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - JFETlər, Diodlar - Düzəldicilər - Tək and Tiristorlar - TRIACs ...
Rəqabətli üstünlük:
ON Semiconductor FQD2N60CTM elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FQD2N60CTM sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FQD2N60CTM üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD2N60CTM Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FQD2N60CTM
İstehsalçı : ON Semiconductor
Təsvir : MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Seriya : QFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 1.9A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 235pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : D-Pak
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63