Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. AS4C16M16D1-5BINTR

Alliance Memory, Inc. - AS4C16M16D1-5BINTR

KEY Part #: K940760

AS4C16M16D1-5BINTR Qiymətləndirmə (USD) [31721ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.45179
  • 2,500 pcs$1.44457
Hissə nömrəsi:
AS4C16M16D1-5BINTR
İstehsalçı:
Alliance Memory, Inc.
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16M x 16 DDR1
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: PMIC - OR nəzarətçiləri, ideal diodlar, PMIC - LED sürücülər, PMIC - Gərginlik tənzimləyiciləri - Xətti, Səs Xüsusi Məqsəd, Daxili - Çip On Sistem (SoC), İnterfeys - sürücülər, qəbuledicilər, ötürücülər, İnterfeys - siqnal tamponları, təkrarlayıcılar, bö and Xətti - Gücləndiricilər - Səs ...
Rəqabətli üstünlük:
Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BINTR elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. AS4C16M16D1-5BINTR sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. AS4C16M16D1-5BINTR üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C16M16D1-5BINTR Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : AS4C16M16D1-5BINTR
İstehsalçı : Alliance Memory, Inc.
Təsvir : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - DDR
Yaddaş ölçüsü : 256Mb (16M x 16)
Saat tezliyi : 200MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 15ns
Giriş vaxtı : 700ps
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 2.3V ~ 2.7V
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 60-TFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 60-TFBGA (8x13)

Son xəbərlər

Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Maraqlı ola bilərsiniz
  • 25AA1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • DS24B33S+

    Maxim Integrated

    IC EEPROM 4K 1WIRE 8SO. EEPROM 1-Wire 4kbit EEPROM

  • AT28BV64B-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS IND TEMP GRN PKG

  • AT28C64B-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 64K 8K x 8 150 ns 4.5V-5.5V

  • 6116SA20SOG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

İsti hissələr