Transphorm - TPH3206LDGB

KEY Part #: K6398263

TPH3206LDGB Qiymətləndirmə (USD) [8659ədəd Stok]

  • 1 pcs$5.33247
  • 10 pcs$4.79922
  • 100 pcs$3.94603
  • 500 pcs$3.30613

Hissə nömrəsi:
TPH3206LDGB
İstehsalçı:
Transphorm
Ətraflı Təsviri:
GANFET N-CH 650V 16A PQFN.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF and Transistorlar - IGBTs - seriallar ...
Rəqabətli üstünlük:
Transphorm TPH3206LDGB elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. TPH3206LDGB sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. TPH3206LDGB üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH3206LDGB Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : TPH3206LDGB
İstehsalçı : Transphorm
Təsvir : GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Not For New Designs
FET növü : N-Channel
Texnologiya : GaNFET (Gallium Nitride)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 650V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 16A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 500µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 9.3nC @ 4.5V
Vgs (Maks) : ±18V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 760pF @ 480V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 81W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PQFN (8x8)
Paket / Case : 3-PowerDFN