Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. AS4C32M16D1-5TIN

Alliance Memory, Inc. - AS4C32M16D1-5TIN

KEY Part #: K939155

AS4C32M16D1-5TIN Qiymətləndirmə (USD) [23793ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.92586
  • 10 pcs$1.74826
Hissə nömrəsi:
AS4C32M16D1-5TIN
İstehsalçı:
Alliance Memory, Inc.
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: PMIC - Gərginlik tənzimləyiciləri - Xüsusi Məqsəd, Məlumatların əldə edilməsi - Sensorlu ekran nəzarə, Yaddaş - Batareyalar, Xətti - gücləndiricilər - alət, OP amper, bufer am, Məntiq - Paritet Yaradanlar və Dama, Məntiq - FİFO Yaddaşı, Məntiq - Flip Flops and İnterfeys - Birbaşa Rəqəmsal Sintez (DDS) ...
Rəqabətli üstünlük:
Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1-5TIN elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. AS4C32M16D1-5TIN sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. AS4C32M16D1-5TIN üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C32M16D1-5TIN Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : AS4C32M16D1-5TIN
İstehsalçı : Alliance Memory, Inc.
Təsvir : IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Obsolete
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - DDR
Yaddaş ölçüsü : 512Mb (32M x 16)
Saat tezliyi : 200MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 15ns
Giriş vaxtı : 700ps
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 2.3V ~ 2.7V
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Təchizatçı cihaz paketi : 66-TSOP II

Son xəbərlər

Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Maraqlı ola bilərsiniz
  • 6116SA15TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA. DRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, ALL

  • S25FS256SDSNFI001

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 256M SPI 80MHZ 8WSON. NOR Flash 256Mb, 1.8V, 80Mhz DDR

  • MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP. NOR Flash EW-SERIES FLASH NOR SLC 32MX16 TSOP

  • RMLV0416EGBG-4S2#KC0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 4M PARALLEL 48FBGA. SRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16, FBGA, 45NS, T+R

  • R1LP0408DSP-5SI#S0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP. SRAM 4Mb 5V Adv. SRAM x8, SOP, 55NS, T+R

İsti hissələr