Hissə nömrəsi :
ESH2BA R3G
İstehsalçı :
Taiwan Semiconductor Corporation
Təsvir :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
100V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
900mV @ 1A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
25ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
1µA @ 200V
Kapasitans @ Vr, F :
25pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
DO-214AC, SMA
Təchizatçı cihaz paketi :
DO-214AC (SMA)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-55°C ~ 175°C