Diodes Incorporated - DMTH10H010LCTB-13

KEY Part #: K6393942

DMTH10H010LCTB-13 Qiymətləndirmə (USD) [96513ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.40514
  • 800 pcs$0.34369

Hissə nömrəsi:
DMTH10H010LCTB-13
İstehsalçı:
Diodes Incorporated
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Diodlar - RF, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF and Diodlar - Zener - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
Diodes Incorporated DMTH10H010LCTB-13 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DMTH10H010LCTB-13 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DMTH10H010LCTB-13 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH10H010LCTB-13 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DMTH10H010LCTB-13
İstehsalçı : Diodes Incorporated
Təsvir : MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
Seriya : Automotive, AEC-Q101
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 108A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 53.7nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2592pF @ 50V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.4W (Ta), 166W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-220AB
Paket / Case : TO-220-3