Təsvir :
MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP
FET Feature :
Logic Level Gate
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1630pF @ 10V
Əməliyyat temperaturu :
150°C (TJ)
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
12-SIP w/fin