ON Semiconductor - FDC021N30

KEY Part #: K6397425

FDC021N30 Qiymətləndirmə (USD) [795181ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.04651
  • 6,000 pcs$0.04262

Hissə nömrəsi:
FDC021N30
İstehsalçı:
ON Semiconductor
Ətraflı Təsviri:
PT8 N 30V/20V MOSFET.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF and Diodlar - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
ON Semiconductor FDC021N30 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FDC021N30 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FDC021N30 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC021N30 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FDC021N30
İstehsalçı : ON Semiconductor
Təsvir : PT8 N 30V/20V MOSFET
Seriya : PowerTrench®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 6.1A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 10.8nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 710pF @ 15V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 700mW (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : SuperSOT™-6
Paket / Case : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6