Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. Diskret yarımkeçirici məhsullar
  4. Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler
  5. MURTA600120

GeneSiC Semiconductor - MURTA600120

KEY Part #: K6468639

MURTA600120 Qiymətləndirmə (USD) [671ədəd Stok]

  • 1 pcs$69.19588
  • 18 pcs$38.91334
Hissə nömrəsi:
MURTA600120
İstehsalçı:
GeneSiC Semiconductor
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER. Rectifiers 1200V 600A Si Super Fast Recovery
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - IGBTs - Subay, Tiristorlar - TRIACs and Tiristorlar - SCR - Modullar ...
Rəqabətli üstünlük:
GeneSiC Semiconductor MURTA600120 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. MURTA600120 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. MURTA600120 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA600120 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : MURTA600120
İstehsalçı : GeneSiC Semiconductor
Təsvir : DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Diodun konfiqurasiyası : 1 Pair Common Cathode
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 1200V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diod başına) : 300A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 2.6V @ 300A
Sürət : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : -
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 25µA @ 1200V
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -55°C ~ 150°C
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : Three Tower
Təchizatçı cihaz paketi : Three Tower
Maraqlı ola bilərsiniz
  • RURD620CCS9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFDR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers UFDR DPAK PN 6A 200V

  • LQA10T150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO-220AB. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • LQA12T300C

    Power Integrations

    DIODE ARRAY GP 300V 6A TO220AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Q-Series 300V 6A Dual Ultra-Low Qrr

  • BAS4006E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.

  • BAS7006E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 V 70 mA

  • BAT1804E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 35V 100MA SOT23.

İsti hissələr