Vishay Siliconix - SI4100DY-T1-E3

KEY Part #: K6416897

SI4100DY-T1-E3 Qiymətləndirmə (USD) [150065ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.24648
  • 2,500 pcs$0.23145

Hissə nömrəsi:
SI4100DY-T1-E3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Diodlar - Zener - Diziler, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Diodlar - RF and Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI4100DY-T1-E3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI4100DY-T1-E3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI4100DY-T1-E3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4100DY-T1-E3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI4100DY-T1-E3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 6.8A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 63 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 600pF @ 50V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : 8-SO
Paket / Case : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)