Vishay Semiconductor Diodes Division - U1B-E3/5AT

KEY Part #: K6458174

U1B-E3/5AT Qiymətləndirmə (USD) [924763ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.04000
  • 7,500 pcs$0.03699

Hissə nömrəsi:
U1B-E3/5AT
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Tiristorlar - SCRlər and Diodlar - Zener - Diziler ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division U1B-E3/5AT elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. U1B-E3/5AT sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. U1B-E3/5AT üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

U1B-E3/5AT Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : U1B-E3/5AT
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 100V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 920mV @ 1A
Sürət : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 24ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 5µA @ 100V
Kapasitans @ Vr, F : -
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : DO-214AC, SMA
Təchizatçı cihaz paketi : DO-214AC (SMA)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -55°C ~ 150°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in