Hissə nömrəsi :
NVD5890NT4G
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
40V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
24A (Ta), 123A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
100nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
4760pF @ 25V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
4W (Ta), 107W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
DPAK
Paket / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63