Diodes Incorporated - DMN3190LDW-13

KEY Part #: K6522500

DMN3190LDW-13 Qiymətləndirmə (USD) [1192875ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.03101
  • 10,000 pcs$0.02784

Hissə nömrəsi:
DMN3190LDW-13
İstehsalçı:
Diodes Incorporated
Ətraflı Təsviri:
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Zener - Subay and Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor ...
Rəqabətli üstünlük:
Diodes Incorporated DMN3190LDW-13 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DMN3190LDW-13 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DMN3190LDW-13 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3190LDW-13 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DMN3190LDW-13
İstehsalçı : Diodes Incorporated
Təsvir : MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : 2 N-Channel (Dual)
FET Feature : Logic Level Gate
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 87pF @ 20V
Gücü - Maks : 320mW
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Təchizatçı cihaz paketi : SOT-363