Infineon Technologies - IRFB38N20DPBF

KEY Part #: K6401548

IRFB38N20DPBF Qiymətləndirmə (USD) [39965ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.94072
  • 10 pcs$0.85000
  • 100 pcs$0.68297
  • 500 pcs$0.53120
  • 1,000 pcs$0.44013

Hissə nömrəsi:
IRFB38N20DPBF
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Tiristorlar - TRIACs, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IRFB38N20DPBF elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IRFB38N20DPBF sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IRFB38N20DPBF üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB38N20DPBF Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IRFB38N20DPBF
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
Seriya : HEXFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 43A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 54 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 91nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2900pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-220AB
Paket / Case : TO-220-3

Maraqlı ola bilərsiniz