Taiwan Semiconductor Corporation - SS12L RHG

KEY Part #: K6437467

SS12L RHG Qiymətləndirmə (USD) [2068141ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.01788

Hissə nömrəsi:
SS12L RHG
İstehsalçı:
Taiwan Semiconductor Corporation
Ətraflı Təsviri:
DIODE SCHOTTKY 20V 1A SUB SMA.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək and Diodlar - Zener - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
Taiwan Semiconductor Corporation SS12L RHG elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SS12L RHG sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SS12L RHG üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SS12L RHG Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SS12L RHG
İstehsalçı : Taiwan Semiconductor Corporation
Təsvir : DIODE SCHOTTKY 20V 1A SUB SMA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Diod növü : Schottky
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 20V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 450mV @ 1A
Sürət : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : -
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 400µA @ 20V
Kapasitans @ Vr, F : -
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : DO-219AB
Təchizatçı cihaz paketi : Sub SMA
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -55°C ~ 125°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • MSC010SDA070K

    Microsemi Corporation

    DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers 700 V, 10 A SiC SBD

  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • NSB8JT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8KT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3