Hissə nömrəsi :
SIR414DP-T1-GE3
İstehsalçı :
Vishay Siliconix
Təsvir :
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
40V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
117nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
4750pF @ 20V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
PowerPAK® SO-8
Paket / Case :
PowerPAK® SO-8