Vishay Siliconix - SIR414DP-T1-GE3

KEY Part #: K6419444

SIR414DP-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [112387ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.32911
  • 3,000 pcs$0.30834

Hissə nömrəsi:
SIR414DP-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik and Transistorlar - JFETlər ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SIR414DP-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SIR414DP-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SIR414DP-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR414DP-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SIR414DP-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 40V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 117nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4750pF @ 20V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® SO-8
Paket / Case : PowerPAK® SO-8

Maraqlı ola bilərsiniz