ON Semiconductor - FDD8770

KEY Part #: K6403251

FDD8770 Qiymətləndirmə (USD) [217738ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.17072
  • 2,500 pcs$0.16987

Hissə nömrəsi:
FDD8770
İstehsalçı:
ON Semiconductor
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Tiristorlar - TRIACs, Tiristorlar - SCR - Modullar, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler and Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar ...
Rəqabətli üstünlük:
ON Semiconductor FDD8770 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FDD8770 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FDD8770 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD8770 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FDD8770
İstehsalçı : ON Semiconductor
Təsvir : MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
Seriya : PowerTrench®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 25V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 73nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 3720pF @ 13V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 115W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-252AA
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63