Vishay Siliconix - SQM120N10-3M8_GE3

KEY Part #: K6417886

SQM120N10-3M8_GE3 Qiymətləndirmə (USD) [44745ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.87385
  • 800 pcs$0.78645

Hissə nömrəsi:
SQM120N10-3M8_GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Tiristorlar - SCRlər, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler and Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SQM120N10-3M8_GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SQM120N10-3M8_GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SQM120N10-3M8_GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM120N10-3M8_GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SQM120N10-3M8_GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Seriya : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 7230pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 375W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-263 (D²Pak)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Maraqlı ola bilərsiniz
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.