Microsemi Corporation - APTM10DSKM09T3G

KEY Part #: K6522608

APTM10DSKM09T3G Qiymətləndirmə (USD) [1769ədəd Stok]

  • 1 pcs$24.59875
  • 100 pcs$24.47637

Hissə nömrəsi:
APTM10DSKM09T3G
İstehsalçı:
Microsemi Corporation
Ətraflı Təsviri:
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək and Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar ...
Rəqabətli üstünlük:
Microsemi Corporation APTM10DSKM09T3G elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. APTM10DSKM09T3G sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. APTM10DSKM09T3G üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM10DSKM09T3G Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : APTM10DSKM09T3G
İstehsalçı : Microsemi Corporation
Təsvir : MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : 2 N-Channel (Dual)
FET Feature : Standard
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 139A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2.5mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 350nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 9875pF @ 25V
Gücü - Maks : 390W
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : SP3
Təchizatçı cihaz paketi : SP3