Hissə nömrəsi :
FCB11N60TM
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1490pF @ 25V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
125W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
D²PAK
Paket / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB