Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. AS4C32M16MD1A-5BCNTR

Alliance Memory, Inc. - AS4C32M16MD1A-5BCNTR

KEY Part #: K941072

AS4C32M16MD1A-5BCNTR Qiymətləndirmə (USD) [34101ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.34378
Hissə nömrəsi:
AS4C32M16MD1A-5BCNTR
İstehsalçı:
Alliance Memory, Inc.
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA. DRAM Mobile DDR, 512M 1.8V,200MHz,32M x 16
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Məntiq - Multivibratörlər, Məntiq - İxtisas məntiqi, PMIC - Gərginlik tənzimləyiciləri - DC DC keçid nə, Yaddaş - FPGA'lar üçün konfiqurasiya promsları, Məntiq - Universal Avtobus funksiyaları, PMIC - isti dəyişdirmə nəzarətçiləri, Xətti - Gücləndiricilər - Xüsusi Məqsəd and Saat / Müddət - Ərizə Xüsusi ...
Rəqabətli üstünlük:
Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MD1A-5BCNTR elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. AS4C32M16MD1A-5BCNTR sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. AS4C32M16MD1A-5BCNTR üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C32M16MD1A-5BCNTR Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : AS4C32M16MD1A-5BCNTR
İstehsalçı : Alliance Memory, Inc.
Təsvir : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - Mobile LPDDR
Yaddaş ölçüsü : 512Mb (32M x 16)
Saat tezliyi : 200MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 15ns
Giriş vaxtı : 700ps
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 1.7V ~ 1.9V
Əməliyyat temperaturu : -30°C ~ 85°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 60-VFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 60-FBGA (9x8)

Son xəbərlər

Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Maraqlı ola bilərsiniz
  • W25Q256JVEIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W25Q256JVEIM

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

  • 25LC1024T-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • 25AA1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • 25LC1024-E/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIJ. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

İsti hissələr